Ổ cứng SSD PCIe 5.0 mới của Trung Quốc: UNIS S5 thách thức ngôi vương tốc độ

Một nhà sản xuất Trung Quốc, UNIS (thuộc Tsinghua Unigroup), vừa giới thiệu dòng ổ cứng SSD PCIe 5.0 mới mang tên S5. Dòng sản phẩm này được kỳ vọng sẽ cạnh tranh mạnh mẽ cho danh hiệu ổ cứng SSD nhanh nhất trên thị trường. Theo UNIS, ổ cứng S5 có thể đạt tốc độ đọc tuần tự lên tới 14.9 GB/s. Nếu đúng, con số này sẽ vượt qua cả Crucial T705 và Samsung 9100 Pro, hai trong số những ổ cứng PCIe 5.0 nhanh nhất hiện nay.

Trung Quốc ra mắt bộ nhớ "siêu tốc" cạnh tranh với Intel Optane

Trong bối cảnh các "ông lớn" như Intel và Micron đã tạm dừng phát triển bộ nhớ lưu trữ thế hệ mới (SCM) như Intel Optane, một công ty Trung Quốc có tên Numemory, hay còn gọi là Xincun Technology, bất ngờ giới thiệu một loại bộ nhớ tương tự.

YMTC của Trung Quốc lặng lẽ bắt đầu giao hàng bộ nhớ NAND 3D QLC 232 lớp

YMTC, công ty sản xuất chip nhớ của Trung Quốc, đã lặng lẽ bắt đầu giao hàng bộ nhớ NAND 3D QLC với 232 lớp, theo TechInsights. Đây là loại bộ nhớ NAND có mật độ ghi cao nhất thế giới hiện nay, với 19.8 Gbit/mm2. Thậm chí, chip NAND 3D TLC 232 lớp của YMTC cũng có mật độ ghi cao hơn các sản phẩm cạnh tranh đang được sản xuất đại trà.

Thỏa thuận sáp nhập giữa Western Digital và Kioxia bị hủy bỏ vì sự phản đối của SK Hynix

Western Digital và Kioxia, nắm giữ vị trí thứ tư và thứ hai trên thị trường bộ nhớ flash NAND toàn cầu, đã lên kế hoạch hợp nhất các hoạt động NAND của họ dưới một mái nhà để tạo ra nhà sản xuất bộ nhớ NAND lớn nhất thế giới và nâng cao khả năng cạnh tranh và lợi nhuận. Việc sáp nhập được coi là một động thái chiến lược để đối đầu với vị thế thống lĩnh thị trường của Samsung Electronics bằng cách tận dụng các nguồn lực và năng lực kết hợp của hai công ty, đồng thời loại bỏ sự cạnh tranh giữa các công ty đồng sở hữu cơ sở sản xuất và cùng phát triển bộ nhớ flash NAND.

Kioxia và Western Digital sắp hoàn tất việc sáp nhập, tạo ra gã khổng lồ bộ nhớ flash

Kioxia và Western Digital Corp. đang trên đà hoàn tất việc sáp nhập, dự kiến sẽ được thống nhất sớm nhất là trong tháng này, theo Kyodo News. Sự hợp nhất này sẽ đưa công ty trở thành nhà sản xuất bộ nhớ flash NAND lớn nhất thế giới. Cấu trúc sở hữu được đề xuất của tập đoàn mới đã được lên kế hoạch tỉ mỉ. Các cổ đông của Western Digital dự kiến sẽ nắm giữ đa số cổ phần, vượt hơn 50%, trong khi phần sở hữu còn lại sẽ được phân bổ cho các cổ đông của Kioxia, bao gồm một khoản đóng góp đáng kể từ Toshiba Corp. Ban đầu, các vị trí lãnh đạo và điều hành dự kiến sẽ do nhóm của Kioxia thống trị, nhưng điều đó dự kiến sẽ thay đổi theo thời gian.

Samsung Đẩy Mạnh Phát Triển Công Nghệ V-NAND Thế Hệ Thứ 9 Với Hơn 300 Lớp

Là nhà cung cấp bộ nhớ NAND lớn nhất thế giới, Samsung có những kế hoạch lớn cho sự phát triển của công nghệ V-NAND (công nghệ 3D NAND của công ty) và đã chia sẻ một số thông tin trong tuần này. Công ty xác nhận rằng họ đang trên đà sản xuất bộ nhớ V-NAND thế hệ thứ 9 với hơn 300 lớp vào năm 2024 và cho biết rằng nó sẽ có số lớp hoạt động cao nhất trong ngành.

Micron ra mắt dòng SSD 7500 với bộ nhớ NAND 3D TLC 232 lớp

Micron đã giới thiệu dòng SSD 7500 sử dụng bộ nhớ NAND 3D TLC 232 lớp của công ty và tăng nhẹ hiệu suất so với dòng ổ đĩa 7450 của công ty. Các SSD mới vẫn giữ giao diện PCIe Gen4 và giải quyết các ứng dụng lưu trữ trung tâm dữ liệu chính, bao gồm máy chủ đám mây và máy chủ doanh nghiệp.

Western Digital gần đạt được thỏa thuận mua lại Kioxia, tạo ra nhà sản xuất bộ nhớ 3D NAND lớn nhất thế giới

Western Digital có thể sắp đạt được thỏa thuận mua lại Kioxia từ Bain Capital và Toshiba, tạo ra nhà sản xuất bộ nhớ 3D NAND lớn nhất thế giới. Theo một báo cáo của Bloomberg, các ngân hàng lớn của Nhật Bản đang chuẩn bị cung cấp khoản vay ¥2 nghìn tỷ (14 tỷ USD) cho công ty Mỹ. Đây được coi là một bước tiến đáng kể đối với thương vụ sáp nhập, vốn đã trải qua nhiều trục trặc.

Samsung cho biết sẽ sản xuất bộ nhớ NAND 300 lớp vào năm 2024

Samsung Electronics cho biết họ sẽ bắt đầu sản xuất bộ nhớ NAND 300 lớp vào năm 2024, theo một báo cáo của The Elec. Công nghệ này sẽ cho phép Samsung tăng mật độ lưu trữ lên 40% và giảm chi phí sản xuất xuống 20%.

Ổ cứng SSD PCIe 5.0 mới của Trung Quốc: UNIS S5 thách thức ngôi vương tốc độ

Một nhà sản xuất Trung Quốc, UNIS (thuộc Tsinghua Unigroup), vừa giới thiệu dòng ổ cứng SSD PCIe 5.0 mới mang tên S5. Dòng sản phẩm này được kỳ vọng sẽ cạnh tranh mạnh mẽ cho danh hiệu ổ cứng SSD nhanh nhất trên thị trường. Theo UNIS, ổ cứng S5 có thể đạt tốc độ đọc tuần tự lên tới 14.9 GB/s. Nếu đúng, con số này sẽ vượt qua cả Crucial T705 và Samsung 9100 Pro, hai trong số những ổ cứng PCIe 5.0 nhanh nhất hiện nay.

Trung Quốc ra mắt bộ nhớ "siêu tốc" cạnh tranh với Intel Optane

Trong bối cảnh các "ông lớn" như Intel và Micron đã tạm dừng phát triển bộ nhớ lưu trữ thế hệ mới (SCM) như Intel Optane, một công ty Trung Quốc có tên Numemory, hay còn gọi là Xincun Technology, bất ngờ giới thiệu một loại bộ nhớ tương tự.

YMTC của Trung Quốc lặng lẽ bắt đầu giao hàng bộ nhớ NAND 3D QLC 232 lớp

YMTC, công ty sản xuất chip nhớ của Trung Quốc, đã lặng lẽ bắt đầu giao hàng bộ nhớ NAND 3D QLC với 232 lớp, theo TechInsights. Đây là loại bộ nhớ NAND có mật độ ghi cao nhất thế giới hiện nay, với 19.8 Gbit/mm2. Thậm chí, chip NAND 3D TLC 232 lớp của YMTC cũng có mật độ ghi cao hơn các sản phẩm cạnh tranh đang được sản xuất đại trà.

Thỏa thuận sáp nhập giữa Western Digital và Kioxia bị hủy bỏ vì sự phản đối của SK Hynix

Western Digital và Kioxia, nắm giữ vị trí thứ tư và thứ hai trên thị trường bộ nhớ flash NAND toàn cầu, đã lên kế hoạch hợp nhất các hoạt động NAND của họ dưới một mái nhà để tạo ra nhà sản xuất bộ nhớ NAND lớn nhất thế giới và nâng cao khả năng cạnh tranh và lợi nhuận. Việc sáp nhập được coi là một động thái chiến lược để đối đầu với vị thế thống lĩnh thị trường của Samsung Electronics bằng cách tận dụng các nguồn lực và năng lực kết hợp của hai công ty, đồng thời loại bỏ sự cạnh tranh giữa các công ty đồng sở hữu cơ sở sản xuất và cùng phát triển bộ nhớ flash NAND.

Kioxia và Western Digital sắp hoàn tất việc sáp nhập, tạo ra gã khổng lồ bộ nhớ flash

Kioxia và Western Digital Corp. đang trên đà hoàn tất việc sáp nhập, dự kiến sẽ được thống nhất sớm nhất là trong tháng này, theo Kyodo News. Sự hợp nhất này sẽ đưa công ty trở thành nhà sản xuất bộ nhớ flash NAND lớn nhất thế giới. Cấu trúc sở hữu được đề xuất của tập đoàn mới đã được lên kế hoạch tỉ mỉ. Các cổ đông của Western Digital dự kiến sẽ nắm giữ đa số cổ phần, vượt hơn 50%, trong khi phần sở hữu còn lại sẽ được phân bổ cho các cổ đông của Kioxia, bao gồm một khoản đóng góp đáng kể từ Toshiba Corp. Ban đầu, các vị trí lãnh đạo và điều hành dự kiến sẽ do nhóm của Kioxia thống trị, nhưng điều đó dự kiến sẽ thay đổi theo thời gian.

Samsung Đẩy Mạnh Phát Triển Công Nghệ V-NAND Thế Hệ Thứ 9 Với Hơn 300 Lớp

Là nhà cung cấp bộ nhớ NAND lớn nhất thế giới, Samsung có những kế hoạch lớn cho sự phát triển của công nghệ V-NAND (công nghệ 3D NAND của công ty) và đã chia sẻ một số thông tin trong tuần này. Công ty xác nhận rằng họ đang trên đà sản xuất bộ nhớ V-NAND thế hệ thứ 9 với hơn 300 lớp vào năm 2024 và cho biết rằng nó sẽ có số lớp hoạt động cao nhất trong ngành.

Micron ra mắt dòng SSD 7500 với bộ nhớ NAND 3D TLC 232 lớp

Micron đã giới thiệu dòng SSD 7500 sử dụng bộ nhớ NAND 3D TLC 232 lớp của công ty và tăng nhẹ hiệu suất so với dòng ổ đĩa 7450 của công ty. Các SSD mới vẫn giữ giao diện PCIe Gen4 và giải quyết các ứng dụng lưu trữ trung tâm dữ liệu chính, bao gồm máy chủ đám mây và máy chủ doanh nghiệp.

Western Digital gần đạt được thỏa thuận mua lại Kioxia, tạo ra nhà sản xuất bộ nhớ 3D NAND lớn nhất thế giới

Western Digital có thể sắp đạt được thỏa thuận mua lại Kioxia từ Bain Capital và Toshiba, tạo ra nhà sản xuất bộ nhớ 3D NAND lớn nhất thế giới. Theo một báo cáo của Bloomberg, các ngân hàng lớn của Nhật Bản đang chuẩn bị cung cấp khoản vay ¥2 nghìn tỷ (14 tỷ USD) cho công ty Mỹ. Đây được coi là một bước tiến đáng kể đối với thương vụ sáp nhập, vốn đã trải qua nhiều trục trặc.

Samsung cho biết sẽ sản xuất bộ nhớ NAND 300 lớp vào năm 2024

Samsung Electronics cho biết họ sẽ bắt đầu sản xuất bộ nhớ NAND 300 lớp vào năm 2024, theo một báo cáo của The Elec. Công nghệ này sẽ cho phép Samsung tăng mật độ lưu trữ lên 40% và giảm chi phí sản xuất xuống 20%.